NAND接口规格之争 东芝三星LBA将对抗英特尔ONFI

英特尔（Intel）所主导ONFI（Open NAND Flash Interface，开放式NAND闪存接口）联盟，迟迟等不到NAND闪存龙头厂商三星电子（Samsung Electronics）和东芝（Toshiba）的加入，如今希望更加渺茫，东芝内部正开发LBA（Logical Block Addressing，逻辑块寻址）接口规格，有可能会比ONFI联盟早一步问世，业界甚至传闻三星与东芝携手支持LBA规格的机率相当高，届时全球NAND闪存产业将形成英特尔的ONFI阵营力抗三星和东芝的LBA阵营的局面。

东芝一直是NAND闪存技术领先者，此次提出LBA规格，传闻将和三星其签署合约，共同量产该规格的产品。内存厂商表示，如果三星确定支持东芝，NAND闪存产业将形成英特尔所主导的ONFI阵营全力对抗三星与东芝的LBA阵营的局势，而且以目前的态势来看，NAND闪存产业走到50奈米制程以下和内嵌式之后，接口规格会越来越重要，而以第一厂商自居的三星，为英特尔抬轿的可能性非常小，而选择与东芝携手的可能性则很高。但三星对此表示，针对各种NAND闪存的接口规格，目前内部仍在密切观察中。

值得注意的是，由于东芝在NAND闪存中技术领先，LBA规格几乎是独自开发出来的，不像ONFI联盟般四处招兵买马，因此，LBA详细的规格设计内容，在内存控制IC业界已成为人人都想得到的“武林秘籍”，各家控制IC厂商都想提前拿到规格，以期在第一时间推出相关产品。

此外，东芝内部开发的LBA接口NAND闪存技术，让系统直接下逻辑地址每一个储存单位分配一个独特地址编码，因此，将来如果NAND闪存制程技术和容量提升之后，只需将编号向后延续便可，且此规格对于错误矫正（ECC，Error Correcting Code）和读写功能处理效率较高，NAND闪存制程技术走向50纳米以下时帮助相当大。

事实上，最后不论是ONFI或LBA规格胜出，其目的都是在减少控制IC在处理NAND闪存时的复杂程度，在50纳米制程世代，错误矫正需要8bit，控制IC功能的处理已经相当辛苦，将来进入45纳米制程后问题将更严重，甚至会影响NAND闪存导入终端产品的速度，这也是各家大厂都希望开发新接口规格的原因之一。

内存厂商指出，其实ONFI和LBA规格十分相似，概念是一样的，只是在处理方式上有所差别，ONFI是英特尔于2006年中正式对外宣布的，而东芝内部开发LBA规格也已经有一段时间了，且东芝动作比较快，现在规格都已经大致确定，2007年下半年可正式量产，至于ONFI虽已发展至ONFI 2.0版本，但最后的规格还未确定。