美光预测：2005年DRAM规格世代交替

据网站Semiconductor Reporter报导，内存大厂美光（Micron）全球营销副总裁Mike Sadler日前表示，有鉴于DRAM世代规格交替应会在2005年内达到cross over，该公司已在美国爱达荷州（Idaho）晶圆厂导入DDRⅡ量产工作，不过，美光科技长则补充说明，该公司转型至DDRⅡ的脚步谨慎，目前的策略是以导入低风险设计为优先导向。

美光指出，获得英特尔（Intel）日前力推行动芯片组的背书，DDRⅡ已开始渗透进入笔记型计算机（NB）市场，据美光内部估计，在2005年夏季结束前，DDRⅡ的位消耗量（bit consumption）应可超越DDR，有鉴于此，美光在爱达荷州晶圆厂导入95奈米制程量产DDRⅡ，便是因应世代交替趋势。

不过，美光首席技术官（CTO）Mark Duncan表示，该公司采取谨慎态度导入DDRⅡ投产，由于已有部分DDRⅡ内存供货商在世代交替、制程转换过程中遭到问题，美光转型至DDRⅡ的最佳策略，应是以导入低风险设计为优先导向。

Sadler指出，目前美光整体营收的一半，仍以标准型DDR产品为主，其次则是SDRAM、DDRⅡ、低耗能DDR产品以及CMOS影像传感器（image sensors）与闪存（flash），预估2005年全球DRAM兆位成长率约在45～55％间。

美光系统内存副总裁Bob Donnelly表示，着眼于微软（Microsoft）的长角（Longhorn）操作系统预定在2006～2007年间大量面市，美光正在为微软打造待机期间超低耗能的DRAM产品，锁定笔记型计算机市场。