美光放弃MRAM和相变式存储器，青睐其它新型存储器

美国内存芯片制造商美光科技(Micron Technology)日前宣布，终止了磁性RAM（MRAM）的研发工作，并对相变存储器(Phase-Change Memory)产生怀疑（编注：这里主要是指OUM——Ovonics Unified Memory）。这是业内目前研究的两种非易失性存储器方法。美光朝这两种技术渐行渐远的原因在于，该公司无法预见这两种技术能按照摩尔定律有效扩展，并证明能实现商业化。

相反，美光科技首席技术官Mark Durcan预测其它几种技术大有潜力。Durcan拒绝披露细节。然而近期内，纳米水晶闪存将在Durcan前不久在伦敦向金融分析师展示的几种非易失性存储器备选方案中表现出色。

从Durcan的演示中可以分析出，2006年将面世的纳米水晶闪存或工程隧道势垒(ETB)存储器应该对美光有一定吸引力。在纳米水晶闪存中，存储效应基于在多晶硅薄层内晶界处形成的电荷阱，而不是在浮动门级。摩托罗拉于2003年3月采用90纳米制造工艺技术在200毫米晶圆上演示了4Mb测试阵列。这与美光已经制造的浮动门级闪存有密切联系，单元尺寸小至4F2。