美光高容量NAND型闪存推出脚步快

根据网站Semiconductor Reporter报导，全球DRAM大厂美光（Micron）切入高容量NAND型闪存（闪存）动作迅速，从初期设计阶段，到量产90纳米制程2G NAND型闪存，只花了18个月的时间，美光日前宣布，该公司导入90纳米制程技术所打造的首款高容量2G NAND型闪存产品，日前已按照规划时程，进入量产阶段。

美光行动装置用内存营销资深主管Achim Hill表示，在导入全新先进制程节点的条件下，美光最新高容量NAND 闪存从初期设计阶段，到进入90纳米制程量产，只花了18个月的时间，且为支持客户面尽快量产产品的既定时程，美光正提供客户所需要的容量、耗电、封装、模块、参考码与控制器兼容性等数据。

Hill指出，在美光的规划蓝图中，随着制程转进90纳米，以及到72纳米与58纳米节点技术，美光均将继续支持其客户在下一代产品中所需求的容量、封装、与设备等支持。美光还指出，该公司2G NAND已通过许多NAND控制器的认证，与现行2G NAND装置兼容。

市调机构Web-Feet Research分析师Alan Niebel指出，除一线大厂三星（Samsung）与东芝（Toshiba）外，在众多切入NAND型闪存市场的DRAM业者当中，美光以高容量2G NAND 闪存积极切入，不仅在制程转型过程中颇为顺利，亦达到预定量产时程，争食获利率较高的高容量NAND市场，避免与其它业者在低容量市场杀价竞争的窘况。据估计，2005年全球NAND市场增幅达24％，产值约为87亿美元规模。