美光与海力士撼动NAND型闪存价格

全球NAND型闪存芯片组市场，因加入此战场的供货商愈来愈多，加上消费性电子市场有转弱迹象，对NAND型闪存需求力道难再走强，造成近来NAND型闪存报价不易获得支撑。IC通路商表示，12月起2大DRAM供货商海力士（Hynix）及美光（Micron）将相继投入2Gb容量NAND型闪存，未来价格走势恐持续走弱。

全球NAND型闪存芯片组自2004年下半以来可说是跌多涨少，6月时1Gb的NAND型闪存芯片组报价还在14～15美元，到8月底已下杀至仅剩8～9美元，后来又再度因第三季（Q3）消费性电子市场需求持续畅旺，让当时的谷底报价又有机会反弹到11～12美元，不过，自此就一路下滑，到目前为止，看不见任何大幅反弹迹象。

DRAM模组制造商认为，这样情况恐不会在未来几个月内止跌回升，原因在需求面及供给端完全看不出有任何转机，就当前市场上对NAND型闪存芯片组需求度来看，目前已进入圣诞节采购末季，换言之，市场上对圣诞节所需要的礼品需求采购，早在日前已告一段落，接下来将进入传统消费性电子产业淡季，需求度将无法再像Q3那样旺盛。

此外，几家NAND型闪存后进者，过去几个月来无法与三星（Samsung）或东芝（Toshiba）2大NAND型闪存芯片组大厂一拼高低，在于均无高阶NAND型闪存芯片组可卖，无法满足DRAM模组厂需求，如今几家后进者将于12月起开始跨入高阶NAND型闪存芯片组供应行列，未来市场竞争势必更加激烈。

DRAM模组厂表示，目前已确定海力士及美光将自12月起开始量产2Gb的NAND型闪存，且由于2大供货商所采用的制程技术不弱，制造成本将不会太高，销售价格相对更具竞争优势，将可与前2大NAND型闪存供货商一较高低，为整体NAND型闪存市场投入一颗不定时炸弹。

据悉，此次海力士新款2Gb 闪存将会先采用堆栈式芯片，即将2颗1Gb的颗粒堆栈起来；至于美光所推出的2Gb，则采用1颗便是足2Gb的颗粒，直接跳至2Gb，足以显示美光进军NAND型闪存市场决心。