扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注官方公众号
至顶头条
在本页阅读全文(共4页)
三星在新型PCM相变存储领域的研究试图和IBM一较高下，PCM作为下一代存储的热门领域，有望取代目前普遍应用的闪存。今年7月份IBM展示的 90nm制程工艺的PCM芯片，比闪存快约100倍。而近日三星宣布将在明年发布的8G相变存储芯片，制程工艺则更进一步达到20nm。
三星PCM
据了解，三星公司将在明年2月举行的2012年国际固态电路会议(ISSCC)上发布20nm的PCM相变存储芯片元件，相比于今年2月发布的PCM芯片，制程工艺从58nm提升到了20nm，而且大小从1G增大到8G。
如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息，那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。
京公网安备 11010802021500号