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三星发布8G相变存储芯片工艺达20nm

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三星在新型PCM相变存储领域的研究试图和IBM一较高下,PCM作为下一代存储的热门领域,有望取代目前普遍应用的闪存。

作者:论坛 pconline 来源:存储在线 2011年12月8日

关键字: pcm 存储芯片 三星

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相变存储技术的原理,是利用材料(由各种不同元素组成的合金)从低电阻值的结晶态转变到高电阻值的非结晶态中电阻值的变化来存储数据字节在一个PCM单元中,相变材料被放在上下两个电极之间。

 三星发布8G相变存储芯片工艺达20nm

PCM原理

科学家可以通过施加不同电压或不同强度的电流脉冲来控制相变。这些电压或脉冲会加热材料,当达到不同的温度阈值时,材料会从结晶态变为非结晶态或者相反。

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