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三星发布8G相变存储芯片工艺达20nm

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三星在新型PCM相变存储领域的研究试图和IBM一较高下,PCM作为下一代存储的热门领域,有望取代目前普遍应用的闪存。

作者:论坛 pconline 来源:存储在线 2011年12月8日

关键字: 存储芯片 三星 pcm

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ISSCC 2012

作为芯片设计界的“奥运会”,ISSCC大会往往汇集了芯片设计的最前沿科技,2012年的ISSCC将在2月19日至23日在旧金山举行,本次大会收录的202篇论文中,亚洲地区占了73篇(36%),美洲占了68篇(34%),这也是ISSCC大会举办59届以来,来自亚洲的论文数量首次超过美洲。本次ISSCC2012的会议主题是“Silicon Systems for Sustainability(以可持续性为目标的硅系统)”。CPU内存等芯片都属于这一范畴。

 三星发布8G相变存储芯片工艺达20nm

PCM样品

PCM相变存储,作为有望取代闪存成为下一代存储产品的技术,IBM、三星、英特尔等知名企业都有研究。PCM相变存储技术是在1966年由 Stanford Ovshinsky 提出的,1999年以来英特尔三星相继开始各自的PCM研究,而IBM对于PCM的研究消息是在2005年传出的。

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