扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注官方公众号
至顶头条
Intel及其与意法半导体组建的合资公司Numonyx B.V.(恒忆半导体)联合宣布,他们已经在相变存储(PCM)技术领域取得了关键性重大突破。
相变存储是一种非易失性存储技术,速度和功耗都优于NOR和NAND闪存,又不像RAM那样存在易失性(断电即丢失数据),因此前景广为看好。Intel已经在该领域潜心研究了很多年,Numonyx公司就是专门为此成立的,三星也已经开始量产相变存储芯片。
研究人员们近日首次展示了一种64Mb容量的测试芯片,可以在单个内核(Die)里堆叠或放置多层相变存储阵列,从而为开发大容量、低功耗、优化空间利用的非易失性存储应用铺平了道路。
利用这种技术,Intel和Numonyx开发了名为相变存储与切换(phase change memory and switch/PCMS)的垂直整合存储单元,由一层相变存储元件和一个新的薄膜双向阈值开关(OTS)以交叉点阵列的方式组合而成,然后再加上CMOS电路。
这样一来,就可以在保证相变存储性能特性的同时大大提高其存储密度,满足实用需要,而这正是传统存储技术面临的越来越严峻的挑战。
2009年国际电子设备会以将于12月9日在美国马里兰州巴尔的摩市举行,Intel、Numonyx届时会发表联合论文“可堆叠交叉点相变存储”,深入介绍该技术的细节情况。
如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。
现场直击|2021世界人工智能大会
直击5G创新地带,就在2021MWC上海
5G已至 转型当时——服务提供商如何把握转型的绝佳时机
寻找自己的Flag
华为开发者大会2020(Cloud)- 科技行者