三星发布8G相变存储芯片工艺达20nm

PCM芯片

2005年5月，IBM正式宣布和Infineon、Macronix共同研发PCM技术，旨在取代闪存技术。2011年6月底，IBM研究人员在苏黎世展示了PCM的重大突破：多位封装。

IBM PCM

IBM完成的一颗多位PCM试验芯片，采用90nmCMOS工艺制造，可比闪存技术快100倍，断电时，其仍拥有高超的存储能力，也不会造成数据丢失；而且，PCM能耐受1亿次写循环，而目前企业级闪存能耐受3万次写循环，消费级闪存仅为3000次。

PCM样品

三星对于PCM技术的研究要早于IBM，在2005年，IBM正式宣布研究PCM时，三星就宣布计划在智能手机上使用PCM存储芯片，而在2010年的时候，就生产出来65nm制程的512M大小的PCM样品。

2011年的ISSCC大会上发布的PCM样品则是达到1G大小，制程工艺则是提高到58nm。比之于IBM的90nm制程工艺优势明显。