NAND闪存价格降至每GB 1美元 固态盘蓄势待发

据市场调研公司iSuppli的最新报道称：经过两年的价格飞涨之后，NAND闪存价格有望下降至每GB 1美元的水平。

这次剧降标志着自2008年第四季度消费级NAND平均价格达到每GB 90美分以来NAND闪存价格首次降至每GB 1美元的临界值。

去年NAND闪存的价格暴涨削弱了发展繁荣的固态盘（SSD）市场，去年第二季度闪存芯片的价格上涨到每GB 4.10美元。

业内专家表示，如果NAND闪存芯片生产商能够将他们的利润再投资以加强产品和开始销售高密度产品的时候，NAND闪存的价格有望在明年保持持平。

但是在近日发表的一份报告中，iSuppli预测每单元3bpc NAND闪存在整个第四季度的平均价格都将保持在每GB 1.2美元，然后在年末下降至每GB 1美元。iSuppli还表示，每GB 1美元被视为将推动固态硬盘采用率的临界值。

iSuppli还指出，最近一次的价格下跌是在2010年第一季度，当时3bpc NAND闪存平均价格为每GB 1.8美元，2bpc NAND闪存价格为2.05美元。

“当NAND闪存价格在2008年年底第一次下降到1美元水平的时候，许多观察家认为固态盘存储将蓄势待发，使得这项技术首次能在价格上与PC用硬盘相竞争。”iSuppli内存和存储高级分析师Michael Yang指出：“但是，在随后几个季度，强劲的需求和受限的生产能力将导致价格上涨，从而限制了固态盘对数据中心内低容量服务器的吸引，阻碍了其在高容量企业和消费PC中的普及。”

NAND闪存有两种类型，一种是可以支持每单元一位以上的多层单元闪存(MLC)，另一种是支持每单元一位的单层单元闪存(SLC)。MLC闪存一般情况下支持每单元存储两位数据，但是最近像Intel和Micron这样的公司宣布了每单元三位（即3bpc）的MLC，这不仅增加了闪存的密度而且还降低了生产成本。

随着时间的推移制造商们还将不断缩小电路的尺寸，使得NAND闪存工艺从几年前的90nm发展到如今的25nm到34nm。目前大多数厂商正在使用的30nm～40nm的制程工艺。美光、英特尔和三星使用的是34nm，东芝正在使用32nm。英特尔最近宣布，它已经开始使用25nm左右的制程工艺。

Yang表示，随着价格重新回到每GB 1美元的水平，固态盘市场有可能也将恢复到快速采用的时期。

Yang表示：“NAND价格恢复每GB价格水平的现象在两年中从未出现过，2010年年底固态盘市场很有可能会有一些新动向。然而，传统硬盘在过去几年容量不断增加价格不断下滑。事实上，硬盘获得了如此大的覆盖面以至固态盘正处于永远不会重新站稳脚跟的危机中。”

杨坚信要使SSD能与HDD抗衡， NAND闪存的每GB价格到2012年必须下降到40美分，这就意味着一个100GB固态硬盘只用50美元。他还说那样价格的SSD才能在消费和企业PC市场具有吸引力。

Yang表示，虽然2010年下半年几乎可以肯定地说会出现2bpc MLC NAND的短缺，但随着3bpc NAND的供应逐渐满足需求，这种技术将得到蓬勃的发展。