全新技术，英特尔发布3D NAND数据中心级固态盘 原创

2017年5月10日，包括至顶网在内的国内媒体走进英特尔大连工厂，参加了由该工厂生产的两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘的新品发布会。这是英特尔大连工厂升级到非易失性存储技术制造基地后，生产的最新的基于32层3D TLC NAND闪存颗粒，每芯片容量为384Gb（48GB）的固态盘产品。

2015年10月，英特尔宣布投资55亿美元，升级大连工厂为非易失性存储技术制造基地。到2016年7月英特尔大连工厂项目提前投产，再到今天的推出最新的固态盘产品，英特尔致力于做一个“数据”公司，并不断推出适用于软件定义存储及融合式基础设施的云存储解决方案的产品。

数据洪流已经来临，今天每个互联网用户流量平均是1.5GB，智能医院数据量是3TB，无人驾驶、飞机联网的数据量是40TB，智能工厂的数据量已经是PB，而一家云视频供应商的数据高达750PB。数据的增长和应用催生了存储介质的变化。从硬盘到固态盘，从SATA接口到PCI-e ,从NAND技术到3DNAND技术。不够活跃但数据量大，就需要存储在成本较低、但是性能也低的磁盘。数据量活跃的数据需要放在固态盘，而实时数据、高频应用的数据需要放在更加低延时、高寿命、高性能的闪存上。

而英特尔在数据存储技术方向的战略很清楚，3D NAND的技术与Optane技术两手抓。3D NAND SSD是拥有低成本、高密度的NVME接口的存储解决方案。Optane SSD是面向更低延伸、更高性能的市场。Optane技术的新的固态盘傲腾固态盘DC P4800X也已经上市。Optane是目前世界上响应最快的数据中心级固态盘。

此次发布的英特尔固态盘DC P4500系列及英特尔固态盘DC P4600系列,是采用英特尔全新研发的控制器，独特的固件创新以及英特尔3DNAND所带来的颠覆性容量。其中DC代表数据中心，P代表PCIe标准，4代表第四代，5/6代表寿命。这两款产品的诞生是基于云计算市场为导向研发的，从根本上重新设计，来提供一种高效存储和缓存的PCIe方案。

英特尔固态盘DC P4500系列专门针对数据读取进行优化，能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据，并针对主流存储优化容量扩展性以及读性能的成本效益。容量为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。DC P4500可以作为主流存储，具有高性能、大规模可扩展性的存储特性。而针对混合型工作负载所设计的英特尔 固态盘DC P4600系列则针对缓存和高速存储类应用，提供更高寿命，更高读写混合性能，更优的服务质量。可以加速缓存，可以作为加速缓存层，也可以支持混合型数据流，可以让数据中心获得更快的结果以及更好的存储扩展性，使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。

英特尔的技术专家表示DC P4000系列是为云计算创新而架构，采用全新的英特尔控制器、全新的英特尔固件以及英特尔3D NAND技术，单芯片384Gb。DC P4000系列产品相对于P3000系列产品，采用了全新的控制器，第四代控制器为云存储提供了容量扩展性、性能和管理能力的融合，全新的固件，智能固件优化云负载，提供更好的服务质量，更广泛的管理能力，以及更重要的新NVMe特性，能够智能适应工作负载、同时提高安全性和可维护性。英特尔3D NAND技术使用经过验证的工艺实现行业领先的容量扩展性。

英特尔技术专家谈到新的产品能够帮助数据中心提升服务器效率，实现服务中断最小化，以及进行更有效的规模管理。

在提高服务器效率方面，新一代产品能够提供高达4TB的存储容量，以及PCIe标准的优化能力。相对于上一代写入性能提升3.3倍，读取性能也提升了2倍以上。同时3D NAND密度以及高IO能力实现每个服务器规模的巨大存储。

他表示实现服务中断最小化也是新一代产品的亮点。通过保证数据连续性实现了业界领先的可靠性保证。一致，持久的性能让服务器连续性获得保证。强大的PLI提供无计划停电期间防止数据丢失的高可信度。

有效的规模管理能够使用任何操作系统远程管理更多的设备状态，先进的可用性提高IT效率。

针对英特尔 3D NAND优化固态盘控制器，通过架构，快速存储和缓存做了特别优化，包括顺序读带宽、4K随机读写IOPs获得大幅度提升。同时提供更好的TCO和敏捷性。

最后在发布会上，英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭表示，“英特尔将非易失性存储技术落地到中国，不仅大力支持了大连高端制造业的发展。随着产能进一步扩大，也能更好地满足数据洪流时代中国及全球市场对高端存储创新的需求。