东芝推32nm工艺高速DDR NAND闪存

上月刚刚宣布和三星一同推动Toggle Mode DDR NAND 2.0标准化的东芝公司日前宣布，其基于第一代Toggle Mode DDR NAND标准闪存已经开发完成正式推出，包括64Gb/128Gb/256Gb容量的MLC颗粒和32Gb/64Gb/128Gb的SLC颗粒。

Toggle Mode即切换模式，相比传统的异步NAND闪存，其接口带宽可从40MT/s提升到133MT/s，而对比同步DDR NAND闪存，由于不需要时钟同步信号，因此功耗更低，系统设计也更简单。Toggle Mode DDR NAND闪存主要面向需求高速度的商业应用，固态硬盘当然也是其应用范围之一。

在第一代Toggle Mode DDR NAND闪存量产后，东芝将和三星一道，推广Toggle Mode DDR NAND 2.0标准，计划将接口带宽提高到400MT/s。