相变内存：有望取代闪存的非易失性技术

价格目前是NAND闪存的优势之一

Tomaszewski表示：“惠普认为，现在说谁是最后的赢家还为时尚早。从开发进度来看，PCM似乎是领先于其他技术。但是PCM能否大量生产并在继续扩展的同时满足能源、容量、可靠性和耐用性等方面的要求，这还有待考察。”

Objective Analysis固态盘分析师Jim Handy表示，PCM可能成为闪存强有力的竞争对手，因为它与闪存一样具备更高速度的优点。

尽管PCM增长势头愈发明显，但是Handy认为这项技术的大规模生产和实施要等到几年之后了，也许还要十年时间。

他说：“目前，内存的制程工艺已经到了34nm，现在需要进一步达到10～12nm。”

Handy表示，PCM所面临的最大挑战就是成本。

他说，由于经济规模不足和研发的局限性，第一代PCM芯片可能比现有DRAM和闪存芯片贵一倍。

Handy指出，东芝最新展示了一款基于10nm制程工艺的NAND闪存原型。

他说，随着芯片尺寸越来越小，NAND闪存将可以与PCM匹敌。他说：“也许在未来的某个时候，NAND闪存将达到自己的极限，这也将是PCM或者其他竞争技术起飞的时候。”