30nm工艺：三星率先量产两种新型NAND闪存

三星电子宣布在全球范围内首家使用30nm新工艺开始了两种新型NAND闪存芯片的大规模量产，其一是3-bit MLC NAND，其二是异步DDR 32Gb MLC NAND。

相比于目前的2-bit规格，这种30nm 3-bit MLC NAND闪存芯片的数据存储效率可提升50％，将大大提升MLC NAND闪存设备的容量，并有利于降低成本。

三星表示，新闪存初期会结合其自家的3-bit NAND控制器，用来制造8GB MicroSD存储卡，之后还会用于制造U盘。

30nm DDR MLC NAND闪存支持双倍数据率传输，能大幅提高读取性能，可用于对读写速度和存储空间都有较高要求的设备，包括智能手机上的高级SD存储卡、PC上的固态硬盘，以及便携式媒体播放器(PMP)、MP3播放器、车载导航系统(CNS)等等。

目前单倍数据率SDR MLC NAND的最高读取速度只有40Mbps，新的DDR MLC NAND则提高了两倍多，可达133Mbps。基于此，存储卡的读取速度可从平均17Mbps提升到60Mbps。

两种新型闪存芯片的量产都始于11月底，并已陆续向大型OEM厂商供货。

另根据市场调研机构Gartner Dataquest的预测，2009年全球NAND闪存市场总价值将有138亿美元，2012年更是可达236亿美元。