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相变内存:有望取代闪存的非易失性技术

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相变内存(Phase Change Memory,PCM)是一项以Intel、Numonys和三星等厂商为先驱的新型非易失性技术,可以成为取代闪存的一种低成本、更可靠、更快速和更好的技术。

作者:存储时代(编译) 来源:Stor-age.com 2010年2月7日

关键字: 相变内存 N-Gage

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PCM的承诺:更好的数据保留

Doller表示,PCM承载了许多期待,主要因为它的数据保留和耐用性不是相互制约的。

他表示:“这意味着,不管我们循环使用PCM内存设备100万次还是仅仅一次,数据保留都是一样的。”

另外一个让PCM更易于使用在系统级设计中的现象就是,PCM的“故障”总是发生在写入过程中的。

Doller表示:“因此,如果我们将数据写入PCM内存设备中,写入校验功能显示数据不在那里,那么数据就会立即被重新写入到另外一个位置。与NAND闪存不同,PCM不会受本身固有的读取干扰机制所影响。”

因为PCM具有出色的可靠性,所以Doller认为这项技术将最先被应用于有最关键要求的应用中。

三星PRAM高级营销经理Harry Yoon表示,三星预计他们自己版本的PCM——成为相变随机内存(PRAM)——将在一系列移动应用中取代NOR闪存的位置。

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