相变内存：有望取代闪存的非易失性技术

相变内存到底是什么？

Doller表示，PCM提供了高性能和低能耗，在一个芯片上结合了NOR、NAND和RAM的最佳特性，包括：位可变性、非易失性、高读取速度、高写入/擦除速度以及良好的可扩展性。

位可变性：PCM与RAM或者EEPROM类似，都是位可变的——也就是存储信息可以从1切换到0，或者从0切换到1，不再需要另外的擦除步骤。闪存技术一般都要求擦除步骤以变更信息。

非易失性：PCM是非易失性的，就像NOR闪存和NAND闪存一样。PCM不要求有持续的供电以保留信息，而RAM是需要的。

读取性能：与RAM和NOR闪存一样，PCM也具有高速随机读取的特点。这样可以直接从存储执行代码，不需要复制到RAM再执行。PCM的读取延迟接近于NOR闪存每单元的一个字位，而读取带宽则接近DRAM。

写入/擦除性能：PCM的写入吞吐速率高于NAND闪存，且延迟更低。这些特性，再加上不需要擦除步骤（位可变性），使PCM具有明显超出NOR和NAND闪存的性能。

可扩展性：可扩展性是PCM另外一个与众不同的地方。NOR和NAND闪存都依赖于浮闸内存结构，而这些结构很难缩减。随着闪存中内存单元不断缩减，保存在浮闸上的电子数量也在减少。因为PCM不保存电子，所以它不需要面对电子保存扩展问题。

最近，Intel和Numonyx研究人员展示了一个堆叠了多层PCM阵列的64MB测试芯片。这些阵列层提供了达到更高记忆密度的可扩展性，同时保存了较高的性能。

到目前为止，由于采用了尖端的微影技术，NAND闪存技术的成本已经降到了一个非常低的水平，但是究竟它还能降到什么水平，这仍有待关注。这就是为什么很多人在寻找替代技术的原因。