美光发布34纳米NAND闪存 耐用性提升6倍

美光（Micron）近日推出了宣称具有行业内最强耐用性、最高容量的MLC和SLC NAND闪存。

这项技术被用于开发固态盘产品，主要针对那些希望提I/O密集型应用的性能、同时保持与硬盘驱动器相当的耐用性的企业级用户。

为了实现对于传统交易数据库和其他I/O密集型应用的更高性能，企业通常会采用硬盘短击技术，这项技术限制了读写操作对盘片外边缘磁道的访问次数。短击技术可以提高性能，但翻过来降低驱动器容量高达90%，大幅度提高了硬件成本。

固态盘技术提供了比Serial Attached SCSI或者光纤通道驱动器更高的性能和容量，但是到目前为止这项技术还仅限于生命周期更长、性能更高的SLC闪存，而SLC的成本要远远高于MLC。

美光表示，使用34nm制程工艺不仅可以提升密度，而且还使得MLC产品以及SLC闪存的写入性能——或者闪存生命周期内的写入/擦除周期数——分别提高了6倍和3倍。

性能提升6倍也就意味着美光最新的MLC企业级NAND可以完成30000次写入周期以及SLC NAND闪存上300000个写入周期。通常，MLC NAND可以保持平均5000个写入/擦除周期，最高可以达到10000个写入/擦除周期。SLC闪存通常可以保持100000个写入周期。

美光的32Gb MLC和16Gb SLC企业级闪存芯片技术可以配置到一个封装中的多个模片上，从而使MLC和SLC的密度分别达到32GB和16GB。

美光新闻发言人表示：“这并不是一次关于固态盘的发布会。目前，我们正在与设备制造商和固态盘制造商合作设计这方面的产品。你还可以直接将这些芯片用于计算机的主板上。”

美光预计将从2010年年初开始大量出货最新的32位NAND闪存技术。

固态盘控制器制造商SandForce业务开发副总裁Steffen Hellmold表示：“高级NAND闪存的使用需要实现在企业应用中的普及。我们非常高兴能够与美光合作，提供符合最苛刻的企业生命周期要求、具有成本效益、可靠和高性能的固态盘解决方案。”