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三星发布全球首颗30nm级工艺DDR3内存芯片

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三星电子宣布,全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class),而不是真正的30nm,也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。

作者:上方文Q 来源:驱动之家 2010年2月1日

关键字: NAND DRAM 绿色

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三星电子宣布,全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。

注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class),而不是真正的30nm,也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。

三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb,支持1.5V标准电压和1.35V低电压,相比50nm工艺级可节省最多30%的功耗,因此又称为绿色内存(Green DRAM),另外相比40nm级别工艺量产效率可提高60%,相比50-60nm级别工艺更是可达两倍之多。

三星将在今年下半年量产这种芯片,并以此各种低功耗内存条,比如4GB DDR3 SO-DIMM,用在笔记本内的时候每小时只消耗3W,仅占笔记本总功耗的3%

当然在台式机、服务器、上网本和各种移动设备里,这种新工艺内存也都有广泛的用途。

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