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继尔必达后，海力士今天也宣布了2Gb低压DDR2 DRAM内存芯片，主要针对智能手机、平板机和智能本市场。
该芯片工作采用40nm制程工艺，电压仅为1.2V，传输速率1066Mbps，带宽4.26GB/s，采用POP层叠堆装和MCP多芯片的封装方式，功耗相比先前推出内存颗粒降低50%，符合JEDEC标准规范。
海力士计划在上半年开始量产该内存芯片，以满足市场对高密度移动DRAM颗粒的需求。海力士在2008年还宣布了业界首个50nm 2Gb移动DRAM颗粒。
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