3D堆叠技术打造：三星发布绿色8GB DDR3内存

三星电子近日宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服务器用内存条，采用最先进的Green DDR3 DRAM颗粒，使用3D芯片堆叠技术“硅通孔”(TSV)打造而来，而且已经成功通过了主要客户的测试。

三星表示，借助3D TSV封装技术，这种8GB RDIMM内存条相比于传统产品能节省最多40％的功耗，而且有利于极大地提高内存颗粒的容量密度，幅度至少可达50％，从而弥补下代服务器平台上每个通道对应内存插槽数量减少30％的影响。

三星指出，TSV是解决服务器既需要更大内存容量、更高性能，又注重更低功耗这一矛盾问题的最佳途径。它主要是在硅基片上穿出微米级别直径的垂直孔洞，然后以铜材料填充，将更多芯片立体式地堆叠在一起，而不像传统方法那样通过细线进行水平连接。这种技术的最大好处就是信号线长度大幅缩短，总体性能并不会比单层颗粒弱。三星正计划在各种服务器领域推广这一新技术，并准备将生产工艺从现在的40nm级别推向30nm级别。

三星还预计，3D TSV技术有望在2012年全面普及。