三星发布40nm内存芯片 能耗比50nm芯片少30%

三星电子公司本周三宣布计划从今年年底开始出货采用最新40nm技术的DRAM芯片，其能耗将大大低于目前PC机中采用的内存芯片。

三星希望通过发布下一代技术来在扩大自己在当前低迷市场的领先优势。现在三星和竞争对手都在加快对微型化电路的研发，以提高能源效率、增加内存容量和降低成本。

三星表示，这将是三星率先在市场中推出基于40nm电路技术的DRAM芯片，其中包括一个1Gb DDR2芯片和一个1GB、800Mbps的DDR2 SODIMM。这些芯片已经通过认证可以与英特尔GM45 series Express移动芯片组相兼容。

三星计划在年底量产2Gb DDR3内存芯片的时候采用40nm技术。像DDR2组件这样成本较低的40nm芯片预计将到2010年开始出货。

三星表示，新的DRAM芯片的能耗比目前采用50nm技术芯片低30%。三星估计，转而采用最新制程工艺之后生产效率提高了60%。

DRAM主要是作为PC机的系统内存使用，现在越来越多地应用到移动设备和游戏平台中。不过，这项技术的制造商们却由于受到市场价格下滑、库存增加的影响而纷纷陷入财务困境。

去年12月，市场调研公司Gartner调低了对2009年全球半导体收入的预期，并表示2009年半导体收入将下滑16.3%，大约为2192亿美元，这也将是半导体行业多年来首次出现下滑趋势。去年，半导体市场收入增长了4.4%。