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随着年关将近,对于NAND型闪存业者而言,压力却是有增无减,原因在于各大NAND闪存厂商50纷制程纷大量开出,然而市场需求部分却因旺季效应即将告一段落, NAND闪存厂商不得不频频向下游客户端示好,希望客户能协助其大量出清库存,此外,NAND闪存业者更是采取自救方式,自行制造NAND闪存卡成品销售,以加速清理NAND闪存芯片库存。
近几周来NAND闪存价格一再向下修正,估计未来几周NAND闪存合约价及现货价反弹力度恐怕也相对有限,而造成这波NAND闪存报价持续走弱的主因,在于无论是美光(Micron)、东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)或海力士(Hynix)等厂商,50纳米制程NAND闪存产能均全数开出,而且越接近2007年底产能只增不降,市场供给量将快速激增,因而无法有效消化库存。
内存厂商坦言,由于圣诞节采购旺季已正式告一段落,目前市场上已没有太多需求,导致这波买气出现明显的回软,而在供给增加、需求却没办法同步提升的影响下,NAND闪存合约价已持续走弱,根据DRAMeXchange所公布12月上旬合约价,下跌幅度最高达20%。
不少NAND闪存厂商为此已展开自救及求人动作,除一些策略性降价促销动作外,几家NAND闪存厂商亦开始自行制造NAND闪存卡片成品,希望藉由自制NAND闪存卡成品动作,不需再经由下游客户端买进NAND闪存芯片,再包装为成卡卖出,这样一来可加速NAND闪存厂商出清既有库存。
此外,NAND闪存厂商也纷纷通过下游客户端帮忙,期盼客户能吃下更多NAND闪存库存,使其得能进一步有效降低库存水位,目前包括美光、海力士及东芝等厂商,均向客户端频招手,一再询问是否有意增加采购量。而对于NAND闪存厂商希望客户端帮忙动作,客户端普遍还是照单全收,但仅能藉由加快左手进、右手出的方式,使其本身不至于发生库存跌价损失。
NAND闪存厂认为,就短期来看,如果藉由这波降价促销活动,能够刺激由圣诞节到农历春节期间对NAND闪存相关产品的买气,有望让NAND闪存合约价跌幅在传统销售淡季时将较为缓和。
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