迎来转型期的NAND闪存

抵达日经BP社硅谷支局刚过一周，在美国时间2007年11月28日（周三）的早晨，笔者参加了内存巨头美国美光科技（Micron Technology）在美国加利福尼亚州旧金山举办的新闻发布会。在会上，美光宣布涉足利用NAND闪存保存数据的存储装置——SSD（solid state drive）业务，同时发表了新产品线“RealSSD”。

总部位于美国爱达荷州博伊西的美光特意选择在旧金山召开新闻发布会，并派出了统管NAND闪存及其相关产品的4名副社长级干部回答记者的各种提问，可见该公司对SSD业务态度的坚定（图1）。在2007年6～8月期的结算中，美光因DRAM价格下跌遭受1亿6100万美元的营业损失，业绩陷入窘境。为此，该公司选中了SSD业务作为业务振兴的核心关键。

四位副社长齐聚（图1）

SSD最大的对手当然是硬盘。如果要替代比特成本大幅低于NAND闪存的硬盘， NAND闪存必需进一步降低成本。美光在此次的新闻发布会上预测：“在业内，最尖端的50nm工艺NAND闪存已开始大量生产，不远的将来，40nm以下工艺的NAND闪存也将量产”。该公司还表示：“目前，25nm工艺浮游栅的形成已经有了眉目”（美光），展示了在与其他公司的成本竞争中绝不退缩的信念（图2）。

成功形成25nm工艺浮游栅（图2）

需要迎接美光挑战的两大NAND闪存厂商——韩国三星电子和东芝已经开始进一步强化成本竞争力。这一态势从二者在2008年2月于美国旧金山举办的半导体奥运会“ISSCC 2008”的技术发表中可略见一斑。二者的技术发表无疑会对NAND闪存今后的技术走势产生巨大的影响。

其中，三星将发表的是在1片硅晶圆上叠加2个内存单元的三维构造NAND闪存。该公司曾于1年前左右发表了部分核心技术，此次在ISSCC 2008上发表的将是45nm工艺的4Gbit芯片。该芯片还支持多值技术（MLC），半导体单元的三维积层已不再是停留在梦想阶段。

东芝也寸步不让。东芝在ISSCC 2008上将发表此前就已着手开发的3bit/单元的16Gbit NAND闪存。利用56nm工艺CMOS技术制造的这枚试制芯片吸引人的地方在于写入时的数据传输速度为8MBps，与已经发表的2bit/单元MLC芯片基本相同。被众多专家关注的可改写次数目前还不明确，但可以推测的是，3bit/单元产品的投产已近在眼前。

由此看来，近期内对于NAND闪存的发展动向，必须十二分地关注。