台积电：业界首款32nm制程SRAM开发成功

该制程技术可以带来更低的功耗、更大的密度和更高的生产利润，整合了高密度SRAM，低待机功耗晶体管、模拟及射频功能，采用铜介质与低介电常数互联将更适合于移动应用应域的片上系统（SoC）。同时，台积电宣布计划在32nm制程的芯片中加入完整的数字、模拟、射频功能及高密度存储器。

值得一提的是该制程技术并未采用高介电常数介质和金属门电路，此外，该SRAM单元体积仅为0.15平方微米，采用193nm双晶格浸润式光刻方式。

“这一尖端技术的发表表意味着TSMC将继续引领行业，”台积电研发副总裁Jack Sun博士说，“32nm节点技术的实现验证了我们在进阶技术开发方面的长期投资和努力，它将帮助我们的客户把尖端产品领先推向市场。”