美光和奇梦达领先三星进入DDR3内存时代

芯片研究机构Semiconductor Insights公司透露，内存芯片厂商奇梦达（Qimonda AG）和美光科技（Micron Technology Inc.）已经在三星电子之前推出了下一代DDR3内存工程样品。

“即将到来的DDR3拥有两倍于DDR2的性能，而且并没有明显的功耗增加，市场前景非常令人期待。”Semiconductor Insights市场部的副总裁Jenn Markey说，“令人意外的是奇梦达和美光的DDR3内存样品要比传统DRAM技术领导者三星发布更早。”

DDR3（Double Data Rate 3）的最高数据传输率可达1600Mb/s，是目前DDR2内存的两倍之多。DDR3的电压为1.5V，比DDR2的1.8V还要低，功耗和发热量同时得到了改善，移动设备可以获得更长的电池运行时间。DDR3更多的改进来自于更先进的FBGA封装方式、引脚定义和高频率下的信号处理。

美光内存集团的高级市场总监Bill Lauer说,美光计划在2007年年中正式上市1Gb的DDR3芯片，并且提供2Gb DDR3芯片的工程样品。

“DDR3是下一代内存的必然选择，不仅仅是高性能，而且拥有包括低功耗、高数据吞吐量以及更高的单条容量等先进特性。”Lauer说。

Semiconductor Insights说，DDR3市场将立足于2007年，因为800MHz甚至更高的512Mb和1Gb芯片的市场需求量将会增加。