IM Flash将于新加坡建第四座晶圆厂

据华尔街日报报导，英特尔（Intel）和美光（Micron）再扩展NAND型闪存（闪存）合作范围，计划合力在新加坡建设新12吋晶圆厂，新厂可望在2008年下半开始投产。

英特尔和美光表示，IM Flash的发展已超越原先预订时程，并拟再成立合资事业以扩增NAND型闪存产能，地点选定在新加坡，成为IM Flash旗下第四座生产据点。IM Flash表示，新加坡12吋厂将导入50奈米制程，预计在2007年上半动工，尽管IM Flash并未公布明确投资金额，不过英特尔发言人预估，厂房成本大约30亿美元。

英特尔与美光于2005年11月宣布将合力投入12亿美元共组新公司IM Flash Technologies，携手打造NAND型闪存事业，此后投资相关研发和扩产动作积极，并于7月宣布以50奈米制程生产4Gb NAND型闪存，预计在2007年即可量产出货。

若加入即将打造的新加坡12吋厂，目前IM Flash拥有的4座厂房。其它3座厂分别为美光位于维吉尼亚州Manassas 12吋厂、以及爱达荷州Boise 8吋厂产能，而美光位于犹他州Lehi闲置多年的12吋厂可望在2007年初重新运转，专为IM Flash生产NAND型闪存，Lehi亦为IM Flash总部所在。

据市调机构iSuppli报告，受惠于手机、数字相机等手持装置需求带动，全球NAND型闪存市场在2006年可望扬升17％，销售额接近120亿美元。眼见三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）等竞争对手纷纷扩产，IM Flash亦力图追赶，英特尔表示，随着未来12吋产能陆续开出，IM Flash可望在NAND型闪存市场抢下领导位置。