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奇梦达(Qimonda)和南亚科于18日共同宣布,已成功获得75纳米制程沟槽式(Trench)技术验证,双方均表示,最小制程技术尺寸可微缩至70纳米制程,而现在第一个75纳米制程产品将会是512Mb DDRII颗粒,且目前已在奇梦达德国德勒斯登12吋厂进行试产,DRAM业者表示,此次75纳米制程版本推出,应属过渡时期产品,主要是希望能因应接下来的DRAM需求旺季。
南亚科与奇梦达指出,这项新技术平台和产品是双方共同在奇梦达位于德国德勒斯登和慕尼黑的开发中心所研发。奇梦达负责市场营销和营运的管理董事委员Thomas Seifert表示,在取得75纳米制程DRAM沟槽式技术能力,并推出第一项相关产品后,对于双方来说,在技术布局上已达新的里程碑。这项75纳米制程技术平台能够满足未来高速接口所需的效能需求,像是接下来在DDRIII或绘图产品方面的应用。
南亚科全球业务营销副总兼发言人白培霖表示,这项新产品所采用的技术,最小的尺寸已达到目前最先进、最微小的70纳米制程技术水准,也正因为有了这项新技术,将可使产品达到更高效能及密度,如1Gb或2Gb的DRAM颗粒,将会因此而使成本更具竞争力。
奇梦达也进一步指出,采用75纳米制程的512Mb DDRII,能够满足美国电子工程设计发展联合协会(JEDEC)定义的最高DDRII速度所需效能,可使用于高阶服务器和各种运算应用中,并可应用在未来的高速DRAM产品上。南亚科也表示,75纳米制程技术的推出,不仅对下一代效能需求非常重要,也可进一步改善奇梦达和南亚科的成本架构,与现在的90纳米制程相比,75纳米制程架构也可进一步缩小芯片尺寸,每一片晶圆将能增加40%产出。
分析师对于沟槽式阵营推出75纳米制程技术,而非直接将制程技术推进到70纳米制程技术表示,过去在90纳米制程技术阶段时,沟槽式集团的DRAM厂在花费较长时间将制程良率调到最佳状态,因此,此次要再进一步将制程技术推进到70纳米制程,所花的时间可能会更长,而如在这时选择更换制程技术,对于整体沟槽式阵营的成员来说,并不见得是件好事,也不见得是对的时间。
因为接下来便将进入DRAM产业需求的旺季,如在此时因制程技术转换而丧失DRAM市占率,到头来恐将得不偿失。
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