奇梦达宣布暂时退出NAND闪存市场

在英飞凌（Infineon）日前退出NOR型闪存（闪存）市场后，据媒体报导，其切割出来内存大厂奇梦达（Qimonda）也正式对外宣布，将暂时停止发展采用NROM技术所生产的NAND型闪存产品，此举对奇梦达来说，无疑是一项相当明智的决定，原因在于，奇梦达可将所有资源全数摆在标准型DRAM上，进而大幅提高竞争优势，再者，也可使其毛利率大幅上扬，无需承受NAND型闪存跌价造成毛利率被迫压低的压力。

奇梦达于上周正式对外宣布将暂时停止继续投入资源，用于市场接受度不高、竞争力不足、采NROM技术所生产的NAND型闪存产品，主因在于此一产品市场竞争力较不足，因而选择退出，而这也是继先前英飞凌退出NOR型闪存市场后，奇梦达宣布暂时停止技术投入资源用于NORM技术生产NAND型 闪存，且将会逐步降低此产品的生产比重。

不过，即便如此，奇梦达强调不会退出闪存市场，未来将会重返此市场，原因在于奇梦达仍看好闪存市场成长潜力大，但强调是要回到高毛利率的闪存产品，奇梦达则未表明何时会采用何种技术重返闪存市场。而分析师对于奇梦达选择这时候暂时退出NAND型闪存市场，则一点也不感意外，因为对于目前在NAND型闪存市场中，占有率还是无法突破5％的制造商来说，未来难以在价格竞争激烈的市场中与其余竞争对手一较高低。

NAND型闪存市场事实上与标准型DRAM的产业特性雷同，要拼的就是制造成本、市占率、产能，而检视目前奇梦达在此市场中，无论是制造成本或数量，几乎可认定其在NAND型闪存市场中，将无法与三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）、海力士（Hynix）等大厂相抗衡。

因此与其继续投入大量资源用于竞争力相对较弱的NAND型闪存，倒不如将多数资源集中，用于全力进攻较有影响力的DRAM市场要来得实际。奇梦达进一步表示，目前采用以NROM技术生产NAND型闪存，市场接受度并不高，也影响奇梦达毛利率，但由于奇梦达仍相当看好非挥发性内存市场的成长，未来将继续投入由母公司英飞凌等开发MRAM技术，包含了PCRAM及CBRAM等产品，不过，奇梦达也表示，这些商品均还没进入成熟阶段。