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NAND闪存前两大厂供货锐减 现货市场价格急涨

作者:hyy(整理) 2007年3月26日

关键字: 三星 东芝 TOSHIBA N-Gage

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近来NAND型闪存报价持续飞涨,NAND型闪存厂商表示,之所以会有这样的状态出现,主要在于东芝已确定获得苹果加码一季的订单,再加上全球第一大厂三星电子目前正转换进50纳米制程量产NAND型闪存,但据闻量产上似乎遭受瓶颈,两家分别排名第一、第二的大厂无法有效供应NAND型闪存现货市场,才会使得目前现货价出现如此惊人涨势。

NAND型闪存现货价在过去几个交易日出现大涨状态,业内人士指出,除了需求开始变高之外,在供应端上,两大NAND型闪存制造商目前均无法有效卖货至现货市场,其中三星因开始由70纳米制程转向50纳米制程时遭到一定瓶颈。三星目前虽已开始转进50纳米制程量产高容量NAND型闪存,不过由于属于第一阶段投产,因此在制造上难免遭到一定程度瓶颈,也就是说此一阶段虽说已顺利转进50纳米制程技术,但还需一段时间来提高制造良率,而该阶段就也免不了会使得整体产出量出现降低情况。

至于第二大厂东芝则在订单上出现相当大的变化,据了解,由于苹果所推出的iPhone手机自2007年下半起开始于美国地区正式销售,也因此自2007年第二季度起开始采购所需NAND型闪存,而原本苹果便自第二季起开始向东芝等国际NAND型闪存大厂下单采购,不过就市场当前所预估数字,iPhone销售状态应会有机会像过去iPod那样热卖,因此已将原本订单再追加一季度,换言之,光是东芝部份产能就有一个多季度让苹果包走。

也正因为两大NAND型闪存制造商已无法供应充足货源至现货市场,而现货市场近来需求也不断开始走高下,使得NAND型闪存现货价快速上扬,光是23日单日高容量8Gb的多层单元闪存(MLC,Multi-Level-Cell)以及单层单元闪存(SLC,Single-Level-cCell)两种商品涨幅便达到15%左右。

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