东芝否认将建第五座NAND 闪存厂

路透社（Reuters）报导指出，东芝（Toshiba）否认先前朝日新闻报导该公司有意继第四座闪存的建厂计划之外，再投建第五座新厂。东芝表示，该报导纯属臆测，一切都尚未定案。

朝日新闻日前报载，为因应日益扩大的闪存需求，甫对外宣布将新建第四座厂的东芝，计划投建第五座厂，该厂将在2008年度（2008年4月～2009年3月）前动工，投资金额将达数千亿日圆之谱。该报指出，为与市占龙头的三星电子（Samsung Electronics）相抗衡，东芝的投资手笔亦不同于以往。

日本经济新闻报导指出，为增产NAND型闪存，东芝计划在位于三重县四日市的四日厂区新建第四座厂，最快于2007年投产。该厂将采90奈米制程，推估产能满载时，月产量约可达10万片（以12英寸晶圆计）。新厂的建厂期间约为2年，投资总额约为5,000亿日圆（约42亿美元），东芝的半导体事业伙伴新帝（SanDisk）亦将负担一半的投资额。

朝日新闻报导提到，东芝即使新厂加入生产线后可提高产能，但仍无法与三星竞争，遂计划增设第五座厂。至于设厂地点，因四日厂区的腹地不够大，因此新厂的设厂地点可能选在该公司系统芯片生产据点的岩手厂区或大分厂区。朝日新闻引用东芝1名高层的说法指出，东芝将审慎评估设厂地点。

近来东芝为强化半导体事业，持续上修该事业的资本支出。2005年度半导体事业资本支出曾由预估的1,510亿日圆上修至2,250亿日圆；2006年2月中，续调升为2,890亿日圆，投资手笔为东芝历年之最。

市调机构iSuppli先前的调查数据指出，2005年第三季（7～9月）全球NAND型闪存市场总销售额达29.71亿美元，三星以50.2％的市占率蝉联宝座；东芝以22.8％名列第二；海力士（Hynix）则以13.2％排名第三。