东芝与SanDisk向NAND闪存追加投资10亿美元

日本东芝公司与其NAND战略合作伙伴美国SanDisk公司于日前宣布，鉴于NAND闪存业务的良好表现，将在12个月内共同追加1200亿日元（10亿美元）的投资以扩大NAND闪存的产能，其中东芝公司投资630亿日元，SanDisk投资5亿美元。两公司于2005年9月已经投资了5亿美元，但NAND闪存的需求一直强劲，因此双方决定再次追加投资，东芝表示“根据与需求增长保持一致的要求，决定增加投资，并以保持现有市场占有率为目标。”

此次投资的对象是东芝在2005年2月竣工的四日市300mm晶圆厂（Fab3），在2005年10月，曾计划其在2007年3月之前将晶圆的月产量提高到4万8750张，而此次的目标则是将月产量提升至每月7万张。根据这次的投资，Fab3厂房的70%的面积将被占用，照此发展速度到2008年可能就需要建设新的厂房了。

而在生产工艺上，200与300mm生产线已引入70nm工艺，并计划于2006年下半年向52nm工艺转移。

东芝表示，将从其自由现金流中提取630亿美元，并计入2005财年第四季度。这样一来，2005财年的半导体投资总额已经达到了2890亿日元（约24亿美元）。而SanDisk方面则正在研究通过筹借等方式提供5亿美元的投资。