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东芝拟投资5000亿日元建NAND闪存厂

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东芝拟投资5000亿日元建NAND 闪存厂

作者:Zxm(整理) 2006年3月7日

关键字: 东芝 TOSHIBA N-Gage

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据日本经济新闻报导,东芝(Toshiba)拟投资5000亿日元(约43亿美元)在日本三重县四日市新设半导体厂(第四座厂)以因应日益扩大的NAND型闪存市场需求。新厂将于2006年内动工,2007年开始投产,预料新厂加入生产行列后,产能将可增为目前的3倍。

东芝社长西田厚聪在接受彭博信息(Bloomberg)专访时针对此报导表示,目前东芝尚未做出任何决定;而东芝公关部门亦指出,东芝在必要时机做必要投资的方针不变,只是目前尚未决定出任何具体的计划。

全球NAND型闪存市场市占第二大的东芝,为迎头赶上龙头三星电子(Samsung Electronics),亟欲提高产能,目前东芝四日厂区内已有3座厂房,一厂与二厂的月产能共计为10.75万片(以8英寸晶圆计);第三座厂的产能则约为4.88万片(以12英寸晶圆计)。

2006年2月中,东芝再度调高2005会计年度(2005年4月~2006年3月)半导体事业资本支出,达2890亿日元,增加的资本支出主要做为第三座厂增设新生产线之用;东芝拟于2006下半年度将第三座厂的月产能提高至7万片(以12英寸晶圆计)。外界认为,即使第三座厂增设新生产线,但充其量月产能至多仅能冲到10万片,仍无法因应急速扩大的市场需求,这是东芝有意再建新厂的诱因。

日经报导指出,东芝计划新建的第四座厂将采90纳米制程,产能满载时,月产量约可达10万片(以12英寸晶圆计)。新厂的建厂期间约为2年,投资总额约为5000亿日元,东芝可能寻求半导体事业伙伴新帝(SanDisk)奥援出资一半,以减轻投资负担。

近来东芝为加强半导体事业,一路调高该事业资本支出。2005年度半导体事业资本支出原已由预估的1510亿日元上修至2250亿日元(约19亿美元);2006年2月中续调升为2890亿日元,投资手笔堪称为历年之最。

据市调机构iSuppli日前公布的报告,2005年第三季(7~9月)全球NAND型闪存市场总销售额达29.71亿美元,三星以50.2%的市占率蝉联宝座;东芝以22.8%名列第二;海力士(Hynix)则以13.2%排名第三。

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