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尽管近来NAND型闪存价格呈现疲弱走势,但供货商似乎仍看好未来市场成长前景,市调机构American Technology Research分析师日前传出全球快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)拟与东芝合资兴建第二座12英寸晶圆厂,扩产NAND型闪存,预定在2006年底动工,2007~2008年间加入投产行列。
分析师表示,有鉴于全球NAND型闪存位成长(bit growth)将可望呈现130~170%成长幅度,为符合市场需求,新帝着手兴建第二座12英寸厂Fab 4之举,势在必行。此外,该厂导入投产后,预定月产能至少达到10万片12英寸晶圆产能,且与伙伴日商东芝(Toshiba)再度携手合作的可能性极高。
事实上,东芝与新帝甫于日前宣布加码资本支出,预定最高投资近20亿美元资金,扩产位于日本合资晶圆厂Fab 3的月产能,Fab 3最新扩产计划则希望在2007年3月前,将月产能拉高到7万片晶圆产出。
面对韩厂三星电子(Samsung Electronics)与海力士(Hynix)来势汹汹,名列全球第二大内存供货商的东芝与其策略伙伴新帝也不敢轻敌,三星不仅以微缩制程与12英寸晶圆投产,持续保持领先优势,而海力士也以折旧摊提完毕的8英寸厂产能生产闪存,2厂各自具有的成本优势不可小觑,由新帝传出与东芝再度合资建厂消息看来,除了12英寸晶圆成本优势考虑以外,持续巩固东芝25%左右的市占,也成其考虑之一。
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