海力士获利超乎预期的好 美光黯然失色

南韩内存大厂海力士（Hynix）日前公布2005年第三季（7～9月；Q3）财报，净利较分析师先前预估值大增1.7亿美元之多！第三季在DRAM均价回稳、NAND型闪存位出货增幅逾8成，以及导入先进制程、降低成本等因素加乘下，海力士净利高达5,115亿韩元（约合4.89亿美元），较上一季成长115％，虽仍较2004年同期净利稍减3.5％，但已大出原先分析师意料之外。

值得注意的是，相较于9月份甫公布6～8月财报的美国内存大厂美光（Micron）获利4,310万美元，海力士表现明显亮丽许多，足见其靠NAND型闪存为获利争光不少。

道琼（Dow Jones）报导指出，先前Thomson Financial综合21位分析师意见，估计海力士Q3净利约为3,340亿韩元（约合3.2亿美元），营收则为1.39兆韩元，然而海力士最新财报结果显示，Q3营收不仅达到1.5兆韩元，净利更高达5,115亿韩元（约4.89亿美元），与先前分析师们估计差距高达1.7亿美元。

彭博信息（Bloomberg）报导指出，全球前20大半导体业者当中，海力士2005年股价表现可说是相对可圈可点，不仅要归功于先前组织重整、聚焦内存事业之功，亦可说是搭上全球NAND型闪存顺风车之助，自2004年全球刮起NAND型闪存风潮以来，南韩2大内存业者三星电子（Samsung Electronics）与海力士分别先后抢先扩产，以占取先机。

根据财报数据显示，海力士Q3营收较上一季成长26％，来自NAND型闪存等产品的挹注增幅将近1倍，远大于DRAM营收增幅，再加上高容量NAND型闪存价格远较DRAM来得好，净利因此再度攀升。

海力士发言人Kim Ah Young指出，Q3 DRAM均价虽较2004年同期下跌37％，却较上一季小涨8％。显示DRAM均价回稳之后，不仅让业者免于失血之苦，获利方面也不无小补。

此外，海力士也指出，尽管NAND型闪存均价较上一季下跌18％，但由于闪存位出货增幅超过80％，也相对拉高整体获利。