Hynix发布NAND闪存路线图 06年量产16Gb产品

韩国芯片厂商Hynix Semiconductor Inc.日前公布了一项雄心勃勃的NAND闪存产品路线图。Hynix正在悄悄地准备其第一批70纳米NAND闪存器件，包括一款先进的16-Gbit芯片。据参加Sedex Korea 2005贸易展的Hynix公司官员称，该公司目前在供应一系列90纳米NAND芯片，密度为1、2、 4和8-Gbit，采用SLC技术。

根据该公司的路线图，它将很快发布其首批70纳米器件，密度包括4、 8和16-Gbit。Hynix计划在11月份推出16-Gbit NAND器件的样品，明年开始投产。

如果Hynix公司能够向市场推出这种芯片，可能使其成为NAND闪存领域中的技术领导厂商之一。9月中旬三星电子(Samsung Electronics)声称开发出了全球密度最高的NAND闪存－－采用50纳米技术的16-Gbit器件。该产品计划在2006年下半年投产。

Hynix在建设工厂方面也在向前推进。它与意法半导体(STMicroelectronics)在中国无锡兴建的一个存储芯片厂已开始动工。该厂完工后，将生产DRAM和NAND闪存。

到目前为止，Hynix对其闪存产品计划一直保持低调，尽管它在该领域进步迅速。市场研究机构iSuppli的数据显示，2005年第二季度，Hynix的闪存业务环比增长了57%。尽管是NAND市场的新进入者，但iSuppli指出，Hynix在第二季度已经是第三大NAND闪存厂商，仅次于三星和东芝。

同时，东芝日前向美国国际贸易委员会(ITC)起诉Hynix侵犯了其闪存技术专利。