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三星将赴美盖12英寸厂生产NAND 闪存

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三星将赴美盖12英寸厂生产NAND 闪存

作者:Zxm(整理) 2005年10月4日

关键字: 三星 SAMSNUG N-Gage

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根据南韩媒体Korea Herald报导指出,全球第一大DRAM及NAND型闪存制造商三星电子(Samsung Electronics)将于美国建造12英寸晶圆厂,三星电子半导体事业群总裁黄昌圭表示,未来将有相当多的市场需求来支撑这座12英寸厂。

据南韩媒体报导指出,三星将在美国兴建1座全新12英寸厂,市场分析师认为,三星此次最主要用意,应是为更贴近与其往来日益密切的美系消费性电子大厂,最近的例子便是三星与苹果计算机(Apple)的合作模式,三星为扩大市场占有率,不惜牺牲自己原本利润,降价予苹果计算机,甚至空出约40%的NAND型闪存产能,以便与苹果计算机结盟。

三星为展现其决心,更将其新建12英寸厂选在美国设立,据南韩媒体报导指出,三星将会在美国亚利桑纳、奥勒岗及德州之间,提出一个完整的提案来兴建12英寸厂,三星并将提供一套相当完整且优惠配套措施。

据了解,三星即将兴建的12英寸厂很可能座落在德州南部首都奥斯汀,整个面积大小约达300英亩,且该座新12英寸厂将雇用约950人当地员工,使得当地经济得以继续繁荣下去。此外,美国大厂巨积(LSI Logic)也将与奥勒岗的当地政府及州政府共同合作,希望能够进一步吸引三星前往奥勒岗州投资建立12英寸厂。

市场分析师认为,此次三星大手笔投入在美国建造属于自己的12英寸厂,最大用意除了要接近客户,使得更能够达到Time To Market,毕竟接下来NAND型闪存芯片组市场走势,也将会与标准型DRAM颗粒一样,价格大起大落速度将相当快,因此,如能在美国当地兴建晶圆厂的话,将可节省更多时间,让客户更能体会到与三星合作的好处。

部份业界人士则认为,三星唯有更进一步藉由服务客户,达到扩大市场占有率,才有机会完成黄昌圭日前所订下目标,三星未来半导体产值要超过英特尔(Intel)。

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