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意法半导体开始量产1Gb容量NAND闪存芯片

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意法半导体开始量产1GB容量NAND闪存芯片

作者：Zxm 2004年4月5日

关键字： N-Gage

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总部位于瑞士的意法半导体公司日前表示，该公司已经开始量产1Gb和512Mb容量的NAND型闪存，这是意法半导体公司的首批NAND闪存产品。
 
 然而，意法公司推出闪存产品的时间表与其NAND闪存合作伙伴Hynix半导体公司明显不同。在2004年2月，Hynix公司表示计划在当月推出采用120奈米制造制程的512Mb闪存，然后到2004年第四季开始生产1Gb和2Gb容量的NAND闪存，采用90奈米制造制程。
 
 意法半导体公司没有透露闪存制造的制程细节，但表示1Gb和512Mb容量的NAND闪存都提供1.8V和3.0V版本。意法半导体公司表示，该闪存模块可进行100,000次擦除周期，数据保持时间长达10年。 
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