三星与东芝对局70nm工艺NAND 闪存

为了进一步巩固NAND型闪存龙头宝座，全球内存第一大供货商三星电子（Samsung Electronics）正积极由90nm制程转入70nm制程，量产高容量4Gb NAND型闪存，第二名的日商东芝（Toshiba）亦不示弱，日前宣布拟于今夏导入70nm制程科技投产8Gb NAND型闪存，三星与东芝正积极迈开大步，打算以先进制程科技拉开与其它NAND型闪存后进者的差距。

三星甫于2005年1月初宣布成功导入70nm制程科技投产4Gb NAND型闪存，不到1个月内又宣布即将自3月开始，量产高容量4Gb NAND型闪存，与90nm制程相较，导入70nm制程量产后，可望为三星增加4成左右的NAND型闪存产能。

目前三星绝大多数的NAND型闪存产能皆已采用90nm先进制程，但三星积极提高产能的计划还不止于进入70nm制程世代而已，三星目前正积极进行Fab 14厂12英寸生产线装机工作，将领先全球以12英寸晶圆投产NAND型闪存，预计自2005年7月启用。

三星主管Kenneth Hong指出，该公司目前支配全球近6成的NAND型闪存市场，三星打算以制程与产能优势，进一步巩固市占。据指出，三星目前主要以Fab 7与Fab 8作为生产NAND型闪存主力，估计在7月12英寸厂Fab 14加入生产NAND 闪存之后，三星NAND产能可望大增，初期Fab 14每月12英寸晶圆产能约7,000片，预估年底前达到月产能1.5万片水平。

在三星的计划中，自3月初开始量产70nm制程、4Gb NAND型闪存，预计在7月前，70nm制程NAND产能可望分占三星所有NAND产能10～15％，显示三星2005年企图以制程优势、进一步侵蚀全球NAND市占。

市调机构iSuppli预估2005年全球NAND型闪存市场规模可望首度超越NOR型闪存，再加上全球消费性电子产品包括数字相机（DSC）、MP3、行动电话与PDA等市场需求，持续带动NAND市场成长，三星与东芝两大厂趁其它后进者仍未站稳脚跟之前，大步向70nm先进制程迈进，企图将竞争对手远远抛在后面。