惠普CTO：100TB忆阻器驱动器或将于2018年面世

相信大家还记得惠普公司CTO Martin Fink放出消息，称配备100TB忆阻器驱动器的StoreServ阵列产品将于2018年面世。但这家技术巨头旋即做出澄清，提醒我们不要对此抱有太高期望。

根据Fink的说法，在未来五年内DRAM与NAND将走向寿命终点——这两种技术的存储容量将遭遇瓶颈：制造工艺尺寸的进一步缩小将导致记忆体的可靠性严重下降，这一副作用使得硅模具电子元件的缩小变得毫无意义。

面对这道看似无解的难题，惠普公司的回答就是忆阻器——这是一种电阻式RAM技术，在理论上拥有类似DRAM的速度以及超过NAND的存储密度。Fink在一次于拉斯维加斯举行的惠普Discovery会议上声称，忆阻器设备将在未来五年内NAND闪存走向终点的同时与我们见面。他同时展示了一块忆阻器晶片，补充称该技术将在2020年之前达到1.5PB容量。

一块忆阻器晶片……预计到2020年其存储容量将达到PB级别

这位惠普实验室负责人还指出，到2018年我们将在StoreServ阵列中见到100TB忆阻器驱动器的身影。现有3PAR StoreServ 7450机箱能够容纳240块固态硬盘，如果采用400GB单盘的SSD产品则其原始容量最高可达96TB。大家不妨想象一下，如果将这240块驱动器全部替换成100TB忆阻器驱动器，那么整台设备的原始容量将达到24000TB或者24PB。

惠普公司CTO Martin Fink

Fink的豪言出现在今年六月，但本周惠普公司的一位发言人向我们做出澄清称：

与惠普实验室正在开发的其它众多突破性技术一样，目前惠普尚未准备为基于忆阻器的产品打造特定产品路线图。惠普确实制定了阶段性内部指标，从而根据不断变化的市场、技术以及业务状况做出反应。

就在同一天，Fink于拉斯维加斯的大会上指出忆阻器的密度与数据传输速度都将优于闪存，但在速度方面还无法达到DRAM的高度。可以肯定的是，此类产品的访问延迟将随时间推移不断提升。忆阻器单元可以采取多层结构，即2bit每单元以及3bit每单元版本，Fink补充道。他还表示忆阻器层还有可能通过堆叠方式实现四层乃至六层结构。

我们假设惠普真能在2018年之前顺利推出忆阻器驱动器；现在该公司表示计划仍在推进当中。总而言之，虽然目前技术巨头还拿不出具体的产品路线图，但惠普公司CTO满满的信心让我们感觉未来五年内出现搭载100TB忆阻器驱动器的StoreServ阵列也并非没有可能。

他还表示忆阻器可能是一种通用型记忆体，从而同时取代DRAM与闪存。他同时暗示称，在某些特定Moonshot设备当中还可能使用忆阻器而非DRAM，通过TB级光学通道与忆阻器StoreServ阵列相对接。