惠普海力士合作开发忆阻器存储

惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。

忆阻器技术的研究实际上已有数十年的历史。1971年，加州大学伯克利分校Leon Chua教授预测，在电容、电阻和电感之外，还存在第四种基本元件：记忆电阻（Memristor）。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压，改变其阻值。由于可以使用不同阻值代表数字信号，忆阻器在计算机存储领域应用前景广泛。它使用单个元件就可以实现一组闪存电路的功能，并且耗能更少，速度更快。当把忆阻器与半导体电路混合时，可以大幅降低处理器芯片中用于存储的晶体管数量，明显降低成本。

发展历程

2006年，惠普终于通过实验证实了忆阻器的存在，并在2008年于自然杂志发表论文得到世界认可。在证明忆阻器存在后，惠普还在不断推动这项技术的进步，包括2009年实现忆阻器电路堆叠，今年上半年又证实忆阻器可实现逻辑电路，即可以在存储芯片中直接实施运算功能。根据今天签订的协议，双方将共同研发忆阻器技术，争取尽快让使用该技术的ReRAM商品化。海力士将在自己的研发和生产制造中逐步应用忆阻器技术。

由于ReRAM属于非易失性存储设备，其最直接的应用就是替代闪存，担当计算机以及各种消费电子设备中的长期存储任务。甚至还可能成为通用性存储介质，取代DRAM甚至硬盘的位置。