惠普：2013年推可取代NAND闪存和SSD产品

一位惠普高级官员在塞维利亚举办的2011国际电子论坛（InternatiONal Electronics Forum）上表示，惠普将在未来18个月内推出一种全新的非易失性内存芯片以取代NAND闪存和SSD产品。

该官员名叫Stan Williams，在对媒体采访时说“我们计划在未来1年半的时间内，推出一种可取代目前市场上闪存芯片的产品（Memristor）。我们还计划将其打造成为可取代SSD的存储解决方案。”

闪存已经基本定型，“现在我们在DRAM动态随机存储器上不断拓展，而且我们有信心在每比特能量转换方面获得2个数量级的改善。”“在实验室我们已经对晶圆实现了数百次的运行测试，”他补充说道。

惠普曾于去年与韩国芯片制造商Hynix建立了合作关系，共同生产下一代非易失性内存产品。

薄膜中由于氧空位迁移而形成的细丝 (filament）导致电阻发生变化

Memristor或称忆阻器技术，它与电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间，忆阻器的电子状态保持不变——就像闪存记忆体一样。这一点它可以和相变记忆体（PCM）竞争。一旦NAND闪存的制程缩小空间耗尽，NAND将无法可靠工作，面临发展瓶颈问题。为此，这时候需要有新的技术加入进来。

被称为第四个基本电路元件的忆阻器

忆阻器可以记忆流经它的电荷数量，在某种程度上说，忆阻器在任一时刻的电阻是时间的函数，被称为是电阻电容和电感之外的第四个基本元件。