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作者:存储时代 来源:Stor-age.com 2011年9月22日
关键字: Hitachi GST 3par 惠普
惠普3PAR已经采用日立环球存储(Hitachi GST)的闪存驱动器以加速阵列数据访问。
惠普3PAR的F系列、T系列和V系列(P10000)可以配置3.5英寸版本的Hitachi GST SSD400S——一款与英特尔共同开发的2.5英寸采用34纳米SLC闪存的固态盘,它最初发布于2010年11月,但是OEM SSD认证花了较长时间。
规范方面没有变化,但我们可以看到FC性能与最初公布的6Gb SAS接口产品的对比。
这款驱动器随机读取和随机写入IOPS分别为41000和21000,采用SAS接口情况下的连续读取和连续写入性能分别为516MB/s和458MB/s。惠普将采用4Gb FC接口产品,连续读取和连续写入性能分别为390MB/s和340MB/s。
出于兴趣,我们将这些数据与Anobit的Genesis 2 MLC固态盘进行对比,记住一点,2位MLC本身就比SLC闪存要慢一些。Anobit的固态盘随机读写IOPS分别为70000和40000,采用6Gb SAS或者SATA接口的连续I/O为510MB/s,随机I/O性能的优势很明显,连续性能也与Hitachi GST相当。
Hitachi GST最近推出的MLC SSD400M随机读写IOPS分别为56000和24000,都好于SSD400S采用6Gb SAS的连续读写性能分别为495MB/s和385MB/s。这些连续性能数据并不如SSD400S在采用6Gb SAS下的性能,但是要好于4Gb FC的数据。
基于英特尔的Ultrastar SSD400S性能表现没有什么令人兴奋的——不是现在,而是公布将近一年之后。但是它仍然使得3PAR阵列的响应远远好于单纯依赖于传统硬盘的时候。
闪存最近成了驱动器阵列领域的关注焦点,收购了Hitachi GST的西数显然乐于看到这种情况。
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