东芝2012年量产25nm以下工艺闪存

　　据日经新闻社报道，东芝将于今年年内投资150亿日元(折合1.6亿美元)兴建一条先进工艺测试生产线，用以试制20nm级后段(20nm-24nm)工艺NAND闪存，计划2012年实现量产。

　　东芝目前是全球第二大闪存制造商，出货量仅次于三星电子。据报道，东芝已经向ASML订购了20nm级后段工艺生产设备，将与年内在位于日本三重县四日市Fab4厂房内兴建25nm以下工艺测试生产线。

　　目前，东芝的NAND闪存主要采用43nm或32nm工艺。该新闻报道称，东芝将很快开始使用20nm级前段(25nm至29nm)制造NAND闪存，而20nm级后段工艺将于2012年实现量产，量产生产线将位于即将动工的四日市工厂Fab5内。

　　东芝发言人目前能够官方确认的消息是，东芝将于今年下半年批量投产20nm级闪存，但并未透露具体制程数字。另外，东芝确认正在和荷兰ASML公司洽谈，可能采购其极紫外(EUV)光刻设备原型机用于试制先进制程产品。

　　受此利好消息影响，东芝股票今天上涨了3.5%，达到504日元。