三星工厂断电事故恐影响内存芯片供应

据台湾报道，尽管三星表示昨天下午发生的芯片工厂断电事故对其生产不会产生太大影响，但业界还是对32Gb和更高密度的NAND闪存芯片供应产生担忧，特别是供货日益紧张的DRAM内存市场。

来自三星供应链合作伙伴的消息称，三星用于DRAM、NAND芯片生产的12寸Fab 13和Fab 14晶圆厂已经受到了断电事故的影响。Fab 13和Fab 14晶圆厂此前的月晶圆产能为12万片和13万片。

昨天下午，三星京畿道器兴工厂发生断电事故，一个小时后，工厂恢复正常运营。这已不是器兴工厂第一次发生这种事故，2007年该工厂还发生了更为严重的断电事故，直接导致六条生产线临时性关闭，严重影响了NAND闪存的供应。

根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，1Gb DRAM芯片的现货价格继续它的上升势头，1Gb品牌和eTT DDR3芯片的价格今年早已经上涨到了3美元，而同密度的DDR2芯片也达到了2.99美元。

NAND闪存芯片方面，高密度MLC NAND闪存芯片平均价格目前相对稳定，32Gb、64Gb MLC NAND闪存价格在7.04美元和15.34美元。