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NEC:MRAM的频率已达250MHz 和SRAM速度相当

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NEC于11月30日宣布,业界最高的250MHz MRAM已成功通过了实验认证。

作者:存储时代 黄永誉(编译) 2007年12月3日

关键字: 非易失性存储 MRAM N-Gage

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NEC于11月30日宣布,业界最高的250MHz MRAM已成功通过了实验认证。

MRAM全称为Magnetoresistive Random Access Memory(磁性随机访问存储器),被认为是下一代的存储器,与SRAM相比,MRAM具有非易失性,而且功耗仅为前者的1/2,采用MRAM的PC从理论上可以从关机状态瞬间启动并进入桌面。

本次NEC独立开发设计并试制的MRAM容量为1Mbit,每个存储单元由2个晶体管和1个磁阻单元组成,采用独家电路类型,频率达到了250MHz,为以前MRAM主流100MHz的2倍以上。在该频率下运行的波形测试中,完成数据输出的周期仅为3.7ns,完全符合250MHz的要求。

这一速度和LSI(大规模集成电路)形式的SRAM速度相当,接下来NEC将会验证LSI形式的MRAM的实际表现。

NEC:MRAM的频率已达250MHz 和SRAM速度相当

NEC 250MHz MRAM内部结构图

NEC:MRAM的频率已达250MHz 和SRAM速度相当

时钟频率和输出周期测试对比

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