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至顶网存储频道› 非易失性存储 相关文章
2018-01-26 14:53:59
大数据时代 高性能存储的三大挑战
大数据时代 高性能存储的三大挑战

纵观当下的科技领域,用风起云涌、如火如荼不足为过。新技术的日益出现和普及,使得我们的工作、生活有了翻天覆地的变化。在过去几年中,大数据是谈及最多的话题,而如今,人工智能、物联网、机器学习等热门技术逐渐充斥各种大中小型活动中……......详细

高性能存储 全闪存 非易失性存储 三大挑战

2016-12-23 11:22:53
美光科技创立Xccela™联盟 力推高速、低信号计数的八路接口总线和生态系统

美光科技有限公司宣布创立面向半导体和电子公司的Xccela™ 联盟 (Xccela™ Consortium)。该联盟的宗旨是推动 Xccela Bus 接口成为适用于易失性和非易失性存储以及其他类型集成电路的新型数字互联和数据通信总线的开放式标准。......详细

美光科技 非易失性存储 存储设备

2016-08-11 10:26:07
存储市场大变革 英特尔有意并购美光进军存储
存储市场大变革 英特尔有意并购美光进军存储

美光在7月份宣布裁减美国科罗拉多厂的70名员工,预计将裁减2400名员工,占其员工总数的7.5%,其今年上半年亏损3200万美元,去年同期则为盈利,业界相当担忧它的发展前景。......详细

Intel DRAM 芯片 美光 非易失性存储

2016-07-28 10:35:25
英特尔的非易失性存储器方案成挽救存储营收的最大希望
英特尔的非易失性存储器方案成挽救存储营收的最大希望

英特尔公司的非易失性存储器产品营收由于技术重心逐步转向3D NAND及等待XPoint产品的推出而遭遇严重缩水。第二季度闪存营收为5.54亿美元,较上年同期降低20%,与上个季度相比亦减少1%。......详细

英特尔 非易失性存储 闪存 3D NAND 三星

2016-07-26 10:16:26
英特尔大连非易失性存储制造新项目实现提前投产

在英特尔半导体(大连)有限公司厂区内看到,1000多名英特尔员工和来自全世界的数千名项目建设供应商员工,正井然有序地忙碌着,他们的共同目标只有一个:全力加速非易失性存储制造新项目的量产步伐。......详细

英特尔 非易失性存储 存储器

2016-06-24 15:13:11
Kaminario的机架未来:你和NVMe之间还会有闪存
Kaminario的机架未来:你和NVMe之间还会有闪存

全闪存阵列厂商Kaminario开展业务比Pure Storage早一年时间,但无论是在销售、规模还是资金方面都有一些落后于Pure Storage。不过,Kaminario已经开始阐述一些会大大加快其发展的技术愿景。......详细

Kaminario 全闪存阵列 3D NAND 内存 3D XPoint 非易失性存储

2016-01-01 07:41:29
英特尔3D XPoint技术能否给存储市场带来巨变?
英特尔3D XPoint技术能否给存储市场带来巨变?

存储的变革目前面临两个方面一方面是商业层面的变革,由于目前是信息大爆炸的时代,大家使用数据的方式和之前有很大的不同。另外一个方面是技术上的变革,如英特尔推出的3D XPoint技术,英特尔在技术上的革新在给整个存储行业带来很大的变革。......详细

英特尔 3D XPoint DRAM 非易失性存储

2015-12-31 10:34:41
谁来买我们的DRAM?美光公司摸摸干瘪的口袋
谁来买我们的DRAM?美光公司摸摸干瘪的口袋

这个圣诞节对于美光公司来说过得绝不消停,最新财报数字显示其固态记忆体与存储业务营收连续四个季度出现下滑,而净利润萎缩更是持续五个季度。......详细

美光 3D NAND 非易失性存储

2015-11-24 10:03:11
“非易失性存储器”制造基地带动产业发展

英特尔公司与大连正式签订非易失性存储制造投资项目落户协议,增加固定资产投资55亿美元升级英特尔大连工厂,打造世界最先进的“非易失性存储器”制造基地对大连意味着什么?......详细

英特尔 存储器 固态硬盘 非易失性存储

2008-01-31 09:38:52
海力士半导体将积极参与新一代非易失性内存的共同开发

1月24日,新一代非易失性内存基础技术的共同开发签约仪式在韩国汉阳大学综合技术院举行。参加该仪式的有韩国产业资源部、韩国海力士半导体、韩国三星电子,以及汉阳大学相关人士。......详细

内存 非易失性存储 海力士

2007-12-03 10:38:36
NEC:MRAM的频率已达250MHz 和SRAM速度相当

NEC于11月30日宣布,业界最高的250MHz MRAM已成功通过了实验认证。......详细

非易失性存储 MRAM N-Gage

2007-09-20 10:43:17
比闪存快1000倍:相变存储技术展望

根据最新来自美国费城大学科研人员的最新报告显示,他们目前发现一种全新的纳米级别非易失性存储技术......详细

存储技术 闪存芯片 Firmware 存储密度 非易失性存储 N-Gage

2007-09-20 10:38:11
新型纳米内存海量存储检索速度提高千倍

这种纳米线是一种能在非晶和晶体结构间实现开关功能的相变材料,是对电脑内存进行读/写的关键。对非易失性内存应用来说,在电流感应相变系统中,原子级的纳米器件也许是最终的尺寸极限。......详细

闪存 相变材料 非易失性存储 内存技术 海量存储 数据

2004-03-03 13:34:12
非易失性存储器的变革
非易失性存储器的变革

在易失性存储器中,DRAM从EDO、SDRAM进化到了DDR SDRAM, DDR-II也即将来临,后面还有DDR-Ⅲ。SRAM方面也迎来DDR、QDR时代,那么同为电子存储元件的非易失性存储器呢?在技术日新月异的今天,我们也不能忽视它的存在与进步……......详细

非易失性存储

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