东芝提出自旋注入方式MRAM中缩小bit内误差的新方法

东芝在美国佛罗里达州坦帕召开的磁记录相关国际会议“52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials（MMM）”上，发布了缩小自旋注入方式MRAM中切换电流误差的研究结果。

东芝此次的研究对象为bit内的误差。即反复写入同一bit时切换电流的误差。东芝首先利用现已投产的MRAM使用的磁场擦写方式和自旋注入方式分别对TMR元件进行100次擦写，并对此时切换电流相关的bit内误差进行了比较。结果，磁场擦写方式切换电流的误差标准偏差平均值为8.3％，而自旋注入方式的标准偏差平均值高达16％。

为了找出其中的原因，东芝进行了仿真试验，结果发现，“与磁场擦写方式相比，自旋注入方式更容易在自由层中形成多个磁区。这就是自旋注入方式比磁场擦写方式误差大的原因”（东芝）。另外，该公司还假设自旋注入方式MRAM在自由层仅产生一个磁区并进行了仿真，结果，“bit内误差可以达到与磁场擦写方式基本相同的水平”（东芝）。该公司是在磁性层的磁化方向为面内时进行的评估，与日前发布的利用垂直磁化的元件不同。