尔必达首席技术官指出DRAM用晶体管技术存在的问题

尔必达内存（Elpida Memory）执行董事、首席技术官安达隆郎（隶属科技＆发展部）在2007年11月12日于东京举行的“IMEC Executive Seminar”上发表演讲，介绍了DRAM用晶体管课题, 并表达了对IMEC的期待。尔必达内存于2007年4月加入IMEC。

DRAM用晶体管的课题分为周边电路和内存单元两个方面。周边电路用晶体管方面，尽管以服务器用途为中心，有高速化的需求，但由于需要高温工艺，因此难以提高晶体管性能。目前与逻辑LSI用晶体管相比，性能落后5年。今后尔必达将与IMEC合作，使消除栅极间段差的工艺低温化，以提高晶体管性能。另一方面，在面向便携产品的DRAM中，降低栅极漏电流是最大的课题。对此，尔必达计划通过导入高介电常数（high-k）栅极绝缘膜予以解决。

单元用晶体管方面的重要课题是，降低接触电阻,以及栅极结构改变引起的电场弛豫。安达指出，虽然可以通过导入纵型晶体管和high-k栅极绝缘膜解决问题，但难以彻底解决，需要尽早移用PRAM、RRAM、MRAM等新型内存。并表示在此类新技术的开发方面也对IMEC充满了期待。