Grandis在演讲中介绍“自旋注入MRAM优于PRAM的多种理由”

从事内存技术开发等业务的美国Grandis公司在美国佛罗里达州坦帕（Tampa）举办的磁记录相关国际会议“第52届磁学与磁性材料年会（Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials，MMM）”的特邀演讲中，对目前正在开发中的自旋注入方式MRAM“STT-RAM（spin transfer torque RAM）”的前景进行了展望。发表演讲的是Grandis公司共同创始人（Co-Founder）、兼任首席技术执行官（CTO）以及工程副总裁（VP Engineering）职务的Yiming Huai。

该公司认为，首先STT-RAM能够实现6F2的内存单元面积。为此，平均每个内存单元的开关电流密度至少必需达到1×106以下。为了降低开关电流，该公司将采用称为“Dual MgO MTJ”的双层结构TMR元件技术。另外，Grandis对于定标（Scaling）充满自信地表示，“至少可将内存单元面积以及开关电流密度都减小到50nm工艺的最小加工尺寸”（Yiming Huai）。

Grandis认为STT-RAM目前的竞争对手是相变内存（PRAM）。据Yiming Huai介绍，在读出时间、写入及擦除时间、可擦写次数方面，STT-RAM比PRAM更具优势。读出时间方面，“相对于PRAM的20～50ns，STT-RAM仅为2～20ns”（Yiming Huai）。写入及擦除时间方面，“预计PRAM写入需要50ns，擦除需要120ns，而STT-RAM可以2～20ns的时间直接进行擦写。无需进行擦除”（Yiming Huai）。可擦写次数方面，“PRAM为1010次左右，而STT-RAM为1015次以上。”